IRFBC30AS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 600V 3.6 Amp
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
820
+
Бонус: 16.4 !
Бонусная программа
Итого: 820
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 600V 3.6 Amp
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRFBC
supplier device packageD2PAK
длина10.67 mm
pd - рассеивание мощности74 W
количество каналов1 Channel
base product numberIRFBC30 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки3.6 A
qg - заряд затвора23 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток2.2 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.6A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs23nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds510pF @ 25V
power dissipation (max)74W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs2.2Ohm @ 2.2A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 250ВµA
Высота 4.83 мм
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль