IRFB7730

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
The IRFB7730PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. The StrongIRFET™ power MOSFET is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters. • Fully characterized capacitance and avalanche SOA• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Вес и габариты
channel typeN Channel
continuous drain current (id) @ 25в°c195A(Tc)
drain source on state resistance0.0026Ом
1 720
+
Бонус: 34.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 720
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
The IRFB7730PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. The StrongIRFET™ power MOSFET is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Вес и габариты
channel typeN Channel
continuous drain current (id) @ 25в°c195A(Tc)
drain source on state resistance0.0026Ом
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds75В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока195А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs3.7В
power dissipation375мВт
power dissipation-max (ta=25в°c)375W(Tc)
рассеиваемая мощность375мВт
rds on - drain-source resistance2.6mО© @ 100A,10V
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0026Ом
стиль корпуса транзистораTO-220AB
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage75V
vgs - gate-source voltage3.7V @ 250uA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль