IRFB7440PBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 208W
| Вес и габариты | |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 120A |
| длина | 10 mm |
| Высота | 15.65 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| pd - рассеивание мощности | 208 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 143W |
| продукт | HEXFET Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 135 nC |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on - drain-source resistance | 2.5mО© @ 100A,10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms |
| технология | Si |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Infineon / IR |
| transistor polarity | N Channel |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 40V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| vgs - gate-source voltage | 3.9V @ 100uA |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 4.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26