Name: IRFB5615PBF, Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
SKU: IRFB5615PBF

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC

Подробное описание

Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c	35A
длина	10 mm
Высота	15.65 мм

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC

Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c	35A
длина	10 mm
Высота	15.65 мм
id - непрерывный ток утечки	35 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	144 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)	144W
qg - заряд затвора	26 nC
размер фабричной упаковки	1000
rds on - drain-source resistance	39mО© @ 21A,10V
rds вкл - сопротивление сток-исток	32 mOhms
технология	Si
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Infineon / IR
transistor polarity	N Channel
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
vds - drain-source breakdown voltage	150V
vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
vgs - gate-source voltage	5V @ 100uA
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.8 V
вид монтажа	Through Hole
Ширина	4.4 мм

Отзывов нет

Кнопки