IRFB4410ZPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c97A
power dissipation-max (ta=25в°c)230W
rds on - drain-source resistance9mО© @ 58A,10V
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c97A
power dissipation-max (ta=25в°c)230W
rds on - drain-source resistance9mО© @ 58A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage100V
vgs - gate-source voltage4V @ 150uA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль