IRFB4127PBF, Транзистор MOSFET N-канал 200В 76А [TO-220АB]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB4127PBF
Single N-channel HEXFET® power MOSFET suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications. • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness• Fully characterized capacitance and avalanche SOA• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Корпус
крутизна характеристики, s79
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт375
600
+
Бонус: 12 !
Бонусная программа
Итого: 600
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Single N-channel HEXFET® power MOSFET suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications.
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness• Fully characterized capacitance and avalanche SOA• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Корпус
крутизна характеристики, s79
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт375
максимальное напряжение сток-исток uси,в200
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в20
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а76
особенностимощный высокочастотный
пороговое напряжение на затворе5
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)0.02 Ом/44А, 10В
Структураn-канал
вес, г2.5
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль