IRFB4020PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 18А, 100Вт, TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB4020PBF
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity1000
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity1000
fall time6.3 ns
forward transconductance - min24 S
id - continuous drain current18 A
manufacturerInfineon
maximum operating temperature+175 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleThrough Hole
number of channels1 Channel
package / caseTO-220-3
packagingTube
part # aliasesSP001564028
pd - power dissipation100 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge18 nC
rds on - drain-source resistance100 mOhms
rise time12 ns
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time16 ns
typical turn-on delay time7.8 ns
vds - drain-source breakdown voltage200 V
вес, г2.8
vgs - gate-source voltage20 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль