IRFB38N20DPBF, Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB38N20DPBF
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c43A(Tc)
крутизна характеристики s,а/в17
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в5
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c43A(Tc)
крутизна характеристики s,а/в17
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в5
power dissipation-max (ta=25в°c)300W(Tc)
rds on - drain-source resistance54mО© @ 26A,10V
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом54
температура, с-55…+175
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage200V
vgs - gate-source voltage5V @ 250uA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль