IRFB3806PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB3806PBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
Вес и габариты | |
configuration | Single |
длина | 10 mm |
другие названия товара № | SP001572380 |
factory pack quantity | 1000 |
Высота | 15.65 мм |
id - continuous drain current | 43 A |
id - непрерывный ток утечки | 43 A |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество каналов | 1 Channel |
конфигурация | Single Dual Drain |
manufacturer | Infineon |
mounting style | Through Hole |
number of channels | 1 Channel |
package / case | TO-220-3 |
packaging | Tube |
part # aliases | SP001572380 |
pd - power dissipation | 71 W |
pd - рассеивание мощности | 71 W |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | N-Channel |
product category | MOSFET |
product type | MOSFET |
qg - gate charge | 22 nC |
qg - заряд затвора | 22 nC |
размер фабричной упаковки | 1000 |
rds on - drain-source resistance | 12.6 mOhms |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 12.6 mOhms |
subcategory | MOSFETs |
technology | Si |
технология | Si |
тип продукта | MOSFET |
тип транзистора | 1 N-Channel |
торговая марка | Infineon / IR |
transistor polarity | N-Channel |
transistor type | 1 N-Channel |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-220-3 |
vds - drain-source breakdown voltage | 60 V |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
vgs - gate-source voltage | 20 V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
вид монтажа | Through Hole |
Ширина | 4.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26