IRFB3407ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB3407ZPBF
HEXFET® power MOSFET suitable for use in battery management, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits. • Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness• Fully characterized capacitance and avalanche SOA• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.005Ом
количество выводов3вывод(-ов)
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
HEXFET® power MOSFET suitable for use in battery management, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits.
• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness• Fully characterized capacitance and avalanche SOA• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.005Ом
количество выводов3вывод(-ов)
линейка продукцииHEXFET
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds75В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока120А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation230Вт
рассеиваемая мощность230Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.005Ом
стиль корпуса транзистораTO-220
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль