Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыHEXFET® power MOSFET suitable for use in battery management, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits. • Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness• Fully characterized capacitance and avalanche SOA• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.005Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

Все характеристики

520 ₽

– +

Бонус: 10.4 !

Бонусная программа

Итого: 520 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыHEXFET® power MOSFET suitable for use in battery management, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits.
• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness• Fully characterized capacitance and avalanche SOA• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.005Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
линейка продукции	HEXFET
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Through Hole
напряжение истока-стока vds	75В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	120А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	4В
power dissipation	230Вт
рассеиваемая мощность	230Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.005Ом
стиль корпуса транзистора	TO-220
вес, г	0.1

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IRFB3407ZPBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 75 В, 120 А, 0.005 Ом, TO-220, Through Hole