IRFB3206PBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB3206PBF
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Infineon
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов3
continuous drain current (id) @ 25в°c120A(Tc)
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов3
continuous drain current (id) @ 25в°c120A(Tc)
длина10.67мм
Высота 9.02 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток60 В
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности300 Вт
максимальное сопротивление сток-исток3 мОм
максимальный непрерывный ток стока210 A
материал транзистораSI
maximum gate threshold voltage4V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage2V
номер каналаПоднятие
power dissipation-max (ta=25в°c)300W(Tc)
размеры10.67 x 4.83 x 9.02мм
rds on - drain-source resistance3mО© @ 75A,10V
серияHEXFET
типичная входная емкость при vds6540 пФ при 50 В
типичное время задержки включения19 ns
типичное время задержки выключения55 нс
типичный заряд затвора при vgs120 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаTO-220AB
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
transistor configurationОдинарный
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage60V
vgs - gate-source voltage4V @ 150uA
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль