IRFB3206PBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB3206PBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Основные | |
Производитель | Infineon |
Вес и габариты | |
число контактов | 3 |
continuous drain current (id) @ 25в°c | 120A(Tc) |
длина | 10.67мм |
Высота | 9.02 мм |
категория | Мощный МОП-транзистор |
количество элементов на ис | 1 |
максимальная рабочая температура | +175 °C |
максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
максимальное сопротивление сток-исток | 3 мОм |
максимальный непрерывный ток стока | 210 A |
материал транзистора | SI |
maximum gate threshold voltage | 4V |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
minimum gate threshold voltage | 2V |
номер канала | Поднятие |
power dissipation-max (ta=25в°c) | 300W(Tc) |
размеры | 10.67 x 4.83 x 9.02мм |
rds on - drain-source resistance | 3mО© @ 75A,10V |
серия | HEXFET |
типичная входная емкость при vds | 6540 пФ при 50 В |
типичное время задержки включения | 19 ns |
типичное время задержки выключения | 55 нс |
типичный заряд затвора при vgs | 120 нКл при 10 В |
тип канала | N |
тип корпуса | TO-220AB |
тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
transistor configuration | Одинарный |
transistor polarity | N Channel |
vds - drain-source breakdown voltage | 60V |
vgs - gate-source voltage | 4V @ 150uA |
Ширина | 4.83 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26