IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB31N20DPBF
IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
Корпус
крутизна характеристики, s1.7
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт200
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Производитель: Infineon Категория продукта: МОП-транзистор RoHS: Подробности Технология: Si Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: TO-220-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V Id - непрерывный ток утечки: 31 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 82 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 5.5 V Qg - заряд затвора: 70 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 175 C Pd - рассеивание мощности: 200 W Канальный режим: Enhancement Упаковка: Tube Конфигурация: Single Высота: 15.65 mm Длина: 10 mm Тип транзистора: 1 N-Channel Ширина: 4.4 mm Торговая марка: Infineon / IR Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 17 S Время спада: 10 ns Тип продукта: MOSFET Время нарастания: 38 ns Подкатегория: MOSFETs Типичное время задержки выключения: 26 ns Типичное время задержки при включении: 16 ns Вес изделия: 6 g
Корпус
крутизна характеристики, s1.7
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт200
максимальное напряжение сток-исток uси,в200
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в30
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а31
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)0.082 Ом/18А, 10В
Структураn-канал
вес, г2.5
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль