IRFB3006PBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB3006PBF
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
Вес и габариты
base product numberIRFB3006 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c195A (Tc)
длина10 mm
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
Вес и габариты
base product numberIRFB3006 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c195A (Tc)
длина10 mm
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
другие названия товара №SP001570606
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs300nC @ 10V
Высота 15.65 мм
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки270 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds8970pF @ 50V
категория продуктаМОП-транзистор
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
pd - рассеивание мощности375 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)375W (Tc)
qg - заряд затвора200 nC
размер фабричной упаковки1000
rds on (max) @ id, vgs2.5mOhm @ 170A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток2.1 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesHEXFETВ® ->
supplier device packageTO-220AB
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon / IR
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
вид монтажаThrough Hole
Ширина4.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль