Основные | |
Производитель | Infineon |
Вес и габариты | |
число контактов | 3 |
continuous drain current (id) @ 25в°c | 19A |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 19A (Tc) |
длина | 10.54мм |
drain to source voltage (vdss) | 55V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
eccn | EAR99 |
fet type | P-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 35nC @ 10V |
Высота | 8.77 мм |
htsus | 8541.29.0095 |
id - непрерывный ток утечки | 17 A |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 620pF @ 25V |
канальный режим | Enhancement |
категория | Мощный МОП-транзистор |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество элементов на ис | 1 |
количество каналов | 1 Channel |
конфигурация | Single |
крутизна характеристики s,а/в | 4.2 |
максимальная рабочая температура | +175 °C |
максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | -4 |
максимальное рассеяние мощности | 68 Вт |
максимальное сопротивление сток-исток | 100 мОм |
максимальный непрерывный ток стока | 19 А |
материал транзистора | SI |
maximum gate threshold voltage | 4V |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
minimum gate threshold voltage | 2V |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Through Hole |
номер канала | Поднятие |
operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
package | Tube |
package / case | TO-220-3 |
pd - рассеивание мощности | 56 W |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | P-Channel |
power dissipation (max) | 68W (Tc) |
power dissipation-max (ta=25в°c) | 68W |
qg - заряд затвора | 23.3 nC |
размеры | 10.54 x 4.69 x 8.77мм |
размер фабричной упаковки | 1000 |
rds on - drain-source resistance | 100mО© @ 10A,10V |
rds on (max) @ id, vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
reach status | REACH Unaffected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | HEXFETВ® -> |
серия | HEXFET |
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 100 |
supplier device package | TO-220AB |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
технология | Si |
температура, с | -55…+175 |
типичная входная емкость при vds | 620 pF@ 25 V |
типичное время задержки включения | 13 ns |
типичное время задержки выключения | 30 нс |
типичный заряд затвора при vgs | 35 nC @ 10 V |
тип канала | P |
тип корпуса | TO-220AB |
тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
тип продукта | MOSFET |
тип транзистора | 1 P-Channel |
торговая марка | Infineon / IR |
transistor configuration | Одинарный |
transistor polarity | P Channel |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-220-3 |
vds - drain-source breakdown voltage | 55V |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
vgs (max) | В±20V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
вид монтажа | Through Hole |
Ширина | 4.69 мм |