| Основные | |
| Производитель | Infineon |
| Вес и габариты | |
| число контактов | 3 |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 19A |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 19A (Tc) |
| длина | 10.54мм |
| drain to source voltage (vdss) | 55V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 35nC @ 10V |
| Высота | 8.77 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 620pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики s,а/в | 4.2 |
| максимальная рабочая температура | +175 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | -4 |
| максимальное рассеяние мощности | 68 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 100 мОм |
| максимальный непрерывный ток стока | 19 А |
| материал транзистора | SI |
| maximum gate threshold voltage | 4V |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| номер канала | Поднятие |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 |
| pd - рассеивание мощности | 56 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 68W (Tc) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 68W |
| qg - заряд затвора | 23.3 nC |
| размеры | 10.54 x 4.69 x 8.77мм |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on - drain-source resistance | 100mО© @ 10A,10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HEXFETВ® -> |
| серия | HEXFET |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 100 |
| supplier device package | TO-220AB |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| температура, с | -55…+175 |
| типичная входная емкость при vds | 620 pF@ 25 V |
| типичное время задержки включения | 13 ns |
| типичное время задержки выключения | 30 нс |
| типичный заряд затвора при vgs | 35 nC @ 10 V |
| тип канала | P |
| тип корпуса | TO-220AB |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Infineon / IR |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity | P Channel |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 55V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 4.69 мм |
