IRF9Z24NSTRLPBF, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 55 В, 12 А, 0.175 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Moun
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IRF9Z24NSTRLPBF
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Вес и габариты
configuration
Single
factory pack quantity
800
id - continuous drain current
12 A
manufacturer
Infineon
mounting style
SMD/SMT
number of channels
1 Channel
package / case
TO-252-3
packaging
Cut Tape or Reel
part # aliases
SP001554552
pd - power dissipation
45 W
product category
MOSFET
product type
MOSFET
qg - gate charge
12.7 nC
rds on - drain-source resistance
175 mOhms
subcategory
MOSFETs
technology
Si
transistor polarity
P-Channel
transistor type
1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage
55 V
вес, г
0.2
vgs - gate-source voltage
20 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26