IRF9Z20PBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-Chan 50V 9.7 Amp
| Основные | |
| вес, г | 6 |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| серия | IRF9Z |
| pin count | 3 |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 40 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Obsolete |
| pcb changed | 3 |
| ppap | No |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220AB |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 40000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | P |
| tab | Tab |
| id - непрерывный ток утечки | 9.7 A |
| qg - заряд затвора | 26 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | P-Channel |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 9.7 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 280 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 50 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| typical fall time (ns) | 25 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 17 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 17 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 480 25V |
| typical rise time (ns) | 57 |
| typical turn-off delay time (ns) | 12 |
| typical turn-on delay time (ns) | 8.2 |
| typical output capacitance (pf) | 320 |
| typical gate to drain charge (nc) | 5.7 |
| typical gate to source charge (nc) | 4.1 |
| typical reverse recovery charge (nc) | 340 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![GT50J327, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А [TO3PN]](/wa-data/public/shop/products/89/76/27689/images/38428/38428.300x0.jpg "GT50J327, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А [TO3PN]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
