IRF9Z10PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-Chan 60V 6.7 Amp
Основные
вес, г6
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-Chan 60V 6.7 Amp
Основные
вес, г6
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
серияIRF9Z
pin count3
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)175
mountingThrough Hole
part statusActive
pcb changed3
standard package nameTO-220
supplier packageTO-220AB
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)43000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
hts8541.29.00.95
package height9.01(Max)
package length10.41(Max)
package width4.7(Max)
process technologyTrenchFET
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
channel typeP
tabTab
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)6.7
maximum drain source resistance (mohm)500@10V
maximum drain source voltage (v)60
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)4
typical fall time (ns)31
typical gate charge @ 10v (nc)12(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)12(Max)@10V
typical input capacitance @ vds (pf)270@25V
typical rise time (ns)63
typical turn-off delay time (ns)10
typical turn-on delay time (ns)11
militaryNo
typical output capacitance (pf)170
typical gate to drain charge (nc)5.1(Max)
typical gate to source charge (nc)3.8(Max)
typical reverse recovery charge (nc)96
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль