IRF9953TRPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторовкорпус: SO-8, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А, 2ВтМОП-транзистор MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c2.3A
длина4.9 mm
другие названия товара №SP001555962
33
+
Бонус: 0.66 !
Бонусная программа
Итого: 33
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторовкорпус: SO-8, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А, 2ВтМОП-транзистор MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c2.3A
длина4.9 mm
другие названия товара №SP001555962
Высота 1.75 мм
id - непрерывный ток утечки2.3 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)2W
qg - заряд затвора6.9 nC
размер фабричной упаковки4000
rds on - drain-source resistance250mО© @ 1A,10V
rds вкл - сопротивление сток-исток165 mOhms
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 P-Channel
торговая маркаInfineon / IR
transistor polarity2 P Channel(Double)
упаковка / блокSO-8
vds - drain-source breakdown voltage30V
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.22
vgs - gate-source voltage1V @ 250uA
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаSMD/SMT
Ширина3.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль