МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Подробное описание

Основные
mounting type	Surface Mount
length	10.41mm
package type	D2PAK (TO-263)
minimum operating temperature	-55 °C

470 ₽

– +

Бонус: 9.4 !

Бонусная программа

Итого: 470 ₽

Купить

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Основные
mounting type	Surface Mount
length	10.41mm
package type	D2PAK (TO-263)
minimum operating temperature	-55 °C
width	9.65mm
pin count	3
maximum operating temperature	+150 °C
height	4.83mm
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	P
transistor configuration	Single
maximum drain source voltage	200 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum continuous drain current	11 A
transistor material	Si
maximum drain source resistance	500 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	2V
maximum power dissipation	3 W
typical gate charge @ vgs	44 nC @ 10 V
крутизна характеристики s,а/в	4.1
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в	-4
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом	500
температура, с	-55…+150

Отзывов нет

Кнопки