IRF9520N

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор PLANAR >= 100V
Вес и габариты
base product numberIRF9520 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c6.8A (Tc)
длина10 mm
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор PLANAR >= 100V
Вес и габариты
base product numberIRF9520 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c6.8A (Tc)
длина10 mm
drain to source voltage (vdss)100V
eccnEAR99
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs27nC @ 10V
Высота 15.65 мм
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки6.8 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds350pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
packageTube
package / caseTO-220-3
pd - рассеивание мощности48 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора18 nC
размер фабричной упаковки1000
rds on (max) @ id, vgs480mOhm @ 4A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток480 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesHEXFETВ® ->
supplier device packageTO-220AB
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении14 ns
типичное время задержки выключения28 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаInfineon / IR
ТипHEXFET Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.4 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания47 ns
время спада31 ns
Ширина4.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль