Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыSP001555820

Подробное описание

Вес и габариты
количество выводов	8вывод(-ов)
линейка продукции	HEXFET
максимальная рабочая температура	150 C

170 ₽

- +

Бонус: 3.4 !

Бонусная программа

Итого: 170 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыSP001555820

Вес и габариты
количество выводов	8вывод(-ов)
линейка продукции	HEXFET
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	20В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	10А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	2.55В
рассеиваемая мощность	2Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0107Ом
стиль корпуса транзистора	SOIC
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вес, г	4.54

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IRF8910TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 10 А, 0.0107 Ом, SOIC, Surface Mount