IRF840LCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, Idm: 5,1А, 125Вт, TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF840LCPBF
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
VISHAY
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRF
supplier device packageTO-220AB
длина10.41мм
тип корпусаTO-220AB
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры10.41 x 4.7 x 9.01мм
base product numberIRF840 ->
Вес и габариты
технологияSi
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности125 W
тип каналаN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
transistor configurationОдинарный
типичное время задержки выключения27 нс
максимальное сопротивление сток-исток850 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
максимальное напряжение сток-исток500 V
типичный заряд затвора при vgs39 нКл при 10 В
номер каналаПоднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c8A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs39nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1100pF @ 25V
power dissipation (max)125W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs850mOhm @ 4.8A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
максимальный непрерывный ток стока8 A
материал транзистораКремний
типичное время задержки включения12 нс
minimum gate threshold voltage2V
категорияМощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds1100 pF @ 25 V
Высота 9.01 мм
Ширина4.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль