Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал, 500 В, 4,5 А (Tc), 74 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220AB

Подробное описание

530 ₽

– +

Бонус: 10.6 !

Бонусная программа

Итого: 530 ₽

Купить

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал, 500 В, 4,5 А (Tc), 74 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220AB

Основные
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
supplier device package	TO-220AB
Вес и габариты
technology	MOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c	4.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	500V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	38nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	610pF @ 25V
power dissipation (max)	74W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	1.5Ohm @ 2.7A, 10V
vgs (max)	В±20V
vgs(th) (max) @ id	4V @ 250ВµA

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IRF830PBF-BE3