IRF830ALPBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал, 500 В, 5 А (Tc), 3,1 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), сквозное отверстие I2PAK
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| supplier device package | I2PAK |
| base product number | IRF830 -> |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
| manufacturer: | Vishay |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| mounting style: | Through Hole |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| series: | IRF |
| subcategory: | MOSFETs |
| packaging: | Tube |
| Вес и габариты | |
| package/case: | TO-262-3 |
| pd - power dissipation: | 3.1 W |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| number of channels: | 1 Channel |
| technology: | Si |
| configuration: | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 5A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 500V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 24nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 620pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 1.4Ohm @ 3A, 10V |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs(th) (max) @ id | 4.5V @ 250ВµA |
| channel mode: | Enhancement |
| id - continuous drain current: | 5 A |
| qg - gate charge: | 24 nC |
| rds on - drain-source resistance: | 1.4 Ohms |
| transistor polarity: | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 500 V |
| vgs - gate-source voltage: | -30 V, +30 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 2 V |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
