IRF8302MTRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 190 А, 0.0014 Ом, WDSON, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IRF8302MTRPBF
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Вес и габариты
automotive
No
channel mode
Enhancement
channel type
N
configuration
Single Quad Drain Dual Source
eccn (us)
EAR99
eu rohs
Compliant
lead shape
No Lead
maximum continuous drain current (a)
31
maximum drain source resistance (mohm)
1.8 10V
maximum drain source voltage (v)
30
maximum gate source leakage current (na)
100
maximum gate source voltage (v)
±20
maximum gate threshold voltage (v)
2.35
maximum idss (ua)
100
maximum operating temperature (°c)
150
maximum power dissipation (mw)
2800
minimum operating temperature (°c)
-40
mounting
Surface Mount
number of elements per chip
1
packaging
Tape and Reel
part status
Active
pcb changed
7
pin count
7
ppap
No
process technology
HEXFET
product category
Power MOSFET
supplier package
Direct-FET MX
typical fall time (ns)
15
typical gate charge @ vgs (nc)
35 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)
6030 15V
typical rise time (ns)
37
typical turn-off delay time (ns)
20
typical turn-on delay time (ns)
22
вес, г
0.3
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26