IRF820APBF-BE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V N-CH HEXFET
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
530
+
Бонус: 10.6 !
Бонусная программа
Итого: 530
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V N-CH HEXFET
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220AB-3
серияIRF
время нарастания12 ns
время спада13 ns
pd - рассеивание мощности50 W
другие названия товара №IRF820APBF
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки2.5 A
qg - заряд затвора17 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения16 ns
типичное время задержки при включении8.1 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль