IRF7507TRPBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторовкорпус: Micro8[тм], инфо: Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 1.7 АМОП-транзистор MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8
| Основные | |
| Производитель | Infineon |
| Вес и габариты | |
| число контактов | 8 |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 2.4A,1.7A |
| длина | 3мм |
| длина: | 3 mm |
| Высота | 0.86 мм |
| id - непрерывный ток утечки: | 2.4 A, 1.7 A |
| канальный режим: | Enhancement |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| категория продукта: | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 2 |
| количество каналов: | 2 Channel |
| конфигурация: | Dual |
| крутизна характеристики s,а/в | 2.6 |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 0.7 |
| максимальное рассеяние мощности | 1,25 W |
| максимальное сопротивление сток-исток | 140 мОм, 270 мОм |
| максимальный непрерывный ток стока | 1.7 A, 2.4 A |
| материал транзистора | Кремний |
| maximum gate threshold voltage | 0.7V |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| minimum gate threshold voltage | 0.7V |
| номер канала | Поднятие |
| pd - рассеивание мощности: | 1.25 W |
| подкатегория: | MOSFETs |
| полярность транзистора: | N-Channel, P-Channel |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 1.25W |
| производитель: | Infineon |
| qg - заряд затвора: | 8 nC, 8.2 nC |
| размеры | 3 x 3 x 0.86мм |
| размер фабричной упаковки: | 4000 |
| rds on - drain-source resistance | 140mО© @ 1.7A,4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток: | 135 mOhms, 270 mOhms |
| серия | HEXFET |
| ширина: | 3 mm |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 135/270 |
| технология: | Si |
| температура, с | -55…+150 |
| типичная входная емкость при vds | 240 пФ при 15 В, 260 пФ при 15 В |
| типичное время задержки включения | 5.7 ns, 9.1 ns |
| типичное время задержки выключения | 15 ns, 38 ns |
| типичный заряд затвора при vgs | 5.3 nC @ 4.5 V, 5.4 nC @ 4.5 V |
| тип канала | N, P |
| тип корпуса | MSOP |
| тип монтажа | Surface Mount |
| тип продукта: | MOSFET |
| тип транзистора: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| торговая марка: | Infineon / IR |
| transistor configuration | Изолированный |
| transistor polarity | N & P Channel |
| упаковка / блок: | Micro-8 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
| вес, г | 0.2 |
| vgs - gate-source voltage | 700mV @ 250uA |
| vgs - напряжение затвор-исток: | - 12 V, + 12 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 700 mv |
| вид монтажа: | SMD/SMT |
| высота: | 1.11 mm |
| Ширина | 3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26