Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	1
package / case	TO-220AB-3
minimum operating temperature	-55 C
factory pack quantity	50

320 ₽

– +

Бонус: 6.4 !

Бонусная программа

Итого: 320 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	1
package / case	TO-220AB-3
minimum operating temperature	-55 C
factory pack quantity	50
manufacturer	Vishay
maximum operating temperature	+150 C
mounting style	Through Hole
packaging	Tube
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	IRF
subcategory	MOSFETs
configuration	Single
fall time	14 ns
rise time	18 ns
number of channels	1 Channel
Вес и габариты
technology	Si
pd - power dissipation	147 W
channel mode	Enhancement
rds on - drain-source resistance	600 mOhms
transistor polarity	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	400 V
vgs - gate-source voltage	10 V
id - continuous drain current	10 A
typical turn-on delay time	12 ns
typical turn-off delay time	18 ns
forward transconductance - min	2.7 S
qg - gate charge	15 nC
transistor type	1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	3 V

Отзывов нет

Кнопки