Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыHEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. • Advanced process technology• Dual N-channel MOSFET• Ultra-low on-resistance• 175°C operating temperature• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Подробное описание

Вес и габариты
количество выводов	8вывод(-ов)
линейка продукции	HEXFET
максимальная рабочая температура	175 C

Все характеристики

400 ₽

– +

Бонус: 8 !

Бонусная программа

Итого: 400 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыHEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
• Advanced process technology• Dual N-channel MOSFET• Ultra-low on-resistance• 175°C operating temperature• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Вес и габариты
количество выводов	8вывод(-ов)
линейка продукции	HEXFET
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	55В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	5.1А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	1В
рассеиваемая мощность	1.7Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.043Ом
стиль корпуса транзистора	SOIC
вес, г	0.1

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IRF7341GTRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 5.1 А, 0.043 Ом, SOIC, Surface Mount