Name: IRF6662TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
SKU: IRF6662TRPBF

МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ

Подробное описание

350 ₽

– +

Бонус: 7 !

Бонусная программа

Итого: 350 ₽

Купить

МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ

Вес и габариты
длина	6.35 mm
другие названия товара №	SP001576850
Высота	0.7 мм
id - непрерывный ток утечки	8.3 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	DirectFET
конфигурация	Single Quad Drain Dual Source
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
pd - рассеивание мощности	89 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	22 nC
размер фабричной упаковки	4800
rds вкл - сопротивление сток-исток	17.5 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	11 ns
типичное время задержки выключения	24 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка / блок	DirectFET-MZ
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	7.5 ns
время спада	5.9 ns
Ширина	5.05 мм

Отзывов нет

Кнопки