IRF644PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 250V N-CH HEXFET
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
580
+
Бонус: 11.6 !
Бонусная программа
Итого: 580
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 250V N-CH HEXFET
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияIRF
время нарастания24 ns
время спада49 ns
pd - рассеивание мощности125 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки14 A
qg - заряд затвора68 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток280 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6.7 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения53 ns
типичное время задержки при включении11 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль