IRF624PBF-BE3, MOSFET 250V N-CH HEXFET
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF624PBF-BE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETN-канал 250V 4.4A (Tc) 50W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
| Основные | |
| вес, г | 2 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| supplier device package | TO-220AB |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
| manufacturer: | Vishay |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| mounting style: | Through Hole |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| series: | IRF |
| subcategory: | MOSFETs |
| packaging: | Tube |
| part # aliases: | IRF624PBF |
| Вес и габариты | |
| package/case: | TO-220AB-3 |
| pd - power dissipation: | 50 W |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| number of channels: | 1 Channel |
| technology: | Si |
| configuration: | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 4.4A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 250V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 14nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 260pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 50W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 1.1Ohm @ 2.6A, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| channel mode: | Enhancement |
| id - continuous drain current: | 4.4 A |
| qg - gate charge: | 14 nC |
| rds on - drain-source resistance: | 1.1 Ohms |
| transistor polarity: | N-Channel |
| transistor type: | 1 N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 250 V |
| vgs - gate-source voltage: | -20 V, +20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 4 V |
| typical turn-off delay time: | 20 ns |
| typical turn-on delay time: | 7 ns |
| fall time: | 12 ns |
| rise time: | 13 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
