Name: IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
SKU: IRF5852TRPBF

IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]

Корпус
крутизна характеристики, s	5.2
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	0.96

60 ₽

– +

Бонус: 1.2 !

Бонусная программа

Итого: 60 ₽

Купить

Корпус
крутизна характеристики, s	5.2
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	0.96
максимальное напряжение сток-исток uси,в	20
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в	12
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а	2.7
пороговое напряжение на затворе	0.6…1.25
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)	0.09 Ом/2.7А, 4.5В
Структура	2n-канала
вес, г	0.1

Отзывов нет

Кнопки