IRF5801TRPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TSOP-6, инфо: Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А 2Вт
Infineon
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов6
длина3мм
68
+
Бонус: 1.36 !
Бонусная программа
Итого: 68
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TSOP-6, инфо: Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А 2Вт
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов6
длина3мм
Высота 0.9 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
крутизна характеристики s,а/в0.44
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток200 В
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в5.5
максимальное рассеяние мощности2 Вт
максимальное сопротивление сток-исток2.2 Ω
максимальный непрерывный ток стока600 mA
материал транзистораSI
maximum gate threshold voltage5.5V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage3V
номер каналаПоднятие
размеры3 x 1.5 x 0.9мм
серияHEXFET
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом2200
температура, с-55…+150
типичная входная емкость при vds88 пФ при 25 В
типичное время задержки включения6,5 нс
типичное время задержки выключения8,8 нс
типичный заряд затвора при vgs3,9 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаТонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
тип монтажаПоверхностный монтаж
transistor configurationОдинарный
вес, г0.07
Ширина1.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль