IRF5801TRPBF, Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF5801TRPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
| Основные | |
| Производитель | Infineon |
| Вес и габариты | |
| число контактов | 6 |
| длина | 3мм |
| Высота | 0.9 мм |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| крутизна характеристики s,а/в | 0.44 |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 5.5 |
| максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 2.2 Ω |
| максимальный непрерывный ток стока | 600 mA |
| материал транзистора | SI |
| maximum gate threshold voltage | 5.5V |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 3V |
| номер канала | Поднятие |
| размеры | 3 x 1.5 x 0.9мм |
| серия | HEXFET |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 2200 |
| температура, с | -55…+150 |
| типичная входная емкость при vds | 88 пФ при 25 В |
| типичное время задержки включения | 6,5 нс |
| типичное время задержки выключения | 8,8 нс |
| типичный заряд затвора при vgs | 3,9 нКл при 10 В |
| тип канала | N |
| тип корпуса | Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| transistor configuration | Одинарный |
| Ширина | 1.5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26