| Основные | |
| Производитель | Infineon |
| Корпус | |
| число контактов | 3 |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 33A |
| диапазон рабочих температур | -55…+175 С |
| длина | 10.54мм |
| другие названия товара № | SP001561906 |
| Высота | 8.77 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики s,а/в | 21 |
| максимальная рабочая температура | +175 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 4 |
| максимальное рассеяние мощности | 130 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 44 мΩ |
| максимальный непрерывный ток стока | 33 A |
| материал транзистора | Кремний |
| maximum gate threshold voltage | 4V |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| мощность | рассеиваемая(Pd)-130 Вт |
| msl(уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| номер канала | Поднятие |
| описание | 100V, 33A |
| pd - рассеивание мощности | 140 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 130W |
| qg - заряд затвора | 47.3 nC |
| размеры | 10.54 x 4.69 x 8.77мм |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on - drain-source resistance | 44mО© @ 16A,10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
| серия | HEXFET |
| сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-44 мОм |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 44 |
| способ монтажа | Through Hole |
| технология | Si |
| температура, с | -55…+175 |
| типичная входная емкость при vds | 1960 пФ при 25 В |
| типичное время задержки включения | 11 ns |
| типичное время задержки выключения | 39 нс |
| типичный заряд затвора при vgs | 71 нКл при 10 В |
| тип канала | N |
| тип корпуса | TO-220AB |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity | N Channel |
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| вес, г | 2.705 |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 4.69 мм |
| заряд | затвора(Qg)-71 нКл |
