IRF540NSTRLPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Infineon
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов3
continuous drain current (id) @ 25в°c33A(Tc)
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов3
continuous drain current (id) @ 25в°c33A(Tc)
длина10.67мм
Высота 4.83 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
крутизна характеристики s,а/в21
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток100 В
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в4
максимальное рассеяние мощности130 Вт
максимальное сопротивление сток-исток44 mΩ
максимальный непрерывный ток стока33 А
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage4V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage2V
номер каналаПоднятие
power dissipation-max (ta=25в°c)130W(Tc)
размеры10.67 x 9.65 x 4.83мм
rds on - drain-source resistance44mО© @ 16A,10V
серияHEXFET
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом44
температура, с-55…+175
типичная входная емкость при vds1960 пФ при 25 В
типичное время задержки включения11 ns
типичное время задержки выключения39 нс
типичный заряд затвора при vgs71 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаD2PAK (TO-263)
тип монтажаПоверхностный монтаж
transistor configurationОдинарный
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage100V
vgs - gate-source voltage4V @ 250uA
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль