IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF540NSTRLPBF
![IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF](/wa-data/public/shop/products/14/39/193914/images/228949/228949.970.jpg "IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF")
![IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF](/wa-data/public/shop/products/14/39/193914/images/228950/228950.970.jpg "IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF")
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
транзисторы полевые импортные
| Основные | |
| Производитель | Infineon |
| Корпус | |
| число контактов | 3 |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 33A(Tc) |
| длина | 10.67мм |
| Высота | 4.83 мм |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| крутизна характеристики s,а/в | 21 |
| максимальная рабочая температура | +175 °C |
| максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт | 130 |
| максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| максимальное напряжение сток-исток uси,в | 100 |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 4 |
| максимальное рассеяние мощности | 130 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 44 mΩ |
| максимальный непрерывный ток стока | 33 А |
| максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а | 33 |
| материал транзистора | Кремний |
| maximum gate threshold voltage | 4V |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| номер канала | Поднятие |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 130W(Tc) |
| размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
| rds on - drain-source resistance | 44mО© @ 16A,10V |
| серия | HEXFET |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 44 |
| Структура | n-канал |
| температура, с | -55…+175 |
| типичная входная емкость при vds | 1960 пФ при 25 В |
| типичное время задержки включения | 11 ns |
| типичное время задержки выключения | 39 нс |
| типичный заряд затвора при vgs | 71 нКл при 10 В |
| тип канала | N |
| тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| Ширина | 9.65 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26