IRF530A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор TO-220 N-Ch A-FET
Вес и габариты
длина10.67 mm
другие названия товара №IRF530A_NL
Высота 16.3 мм
440
+
Бонус: 8.8 !
Бонусная программа
Итого: 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор TO-220 N-Ch A-FET
Вес и габариты
длина10.67 mm
другие названия товара №IRF530A_NL
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки14 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.0.007 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности55 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток110 mOhms
серияIRF530A
технологияSi
типичное время задержки при включении13 ns
типичное время задержки выключения55 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г1.8
вид монтажаThrough Hole
время нарастания14 ns
время спада36 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль