IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF5305STRLPBF
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Корпус
крутизна характеристики, s8
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт110
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Корпус
крутизна характеристики, s8
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт110
максимальное напряжение сток-исток uси,в55
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в20
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а31
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)0.06 Ом/16А, 10В
Структураp-канал
вес, г2.5
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль