IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF5305PBF
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Корпус
крутизна характеристики, s8
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт110
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Корпус
крутизна характеристики, s8
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт110
максимальное напряжение сток-исток uси,в55
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в20
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а31
пороговое напряжение на затворе-4
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)0.06 Ом/16А, 10В
Структураp-канал
вес, г2.5
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль