Name: IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]
SKU: IRF5210STRLPBF

IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Подробное описание

Корпус
крутизна характеристики, s	10
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	200

Все характеристики

980 ₽

– +

Бонус: 19.6 !

Бонусная программа

Итого: 980 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Корпус
крутизна характеристики, s	10
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	200
максимальное напряжение сток-исток uси,в	100
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в	20
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а	40
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)	0.06 Ом/38А, 10В
Структура	p-канал
вес, г	2.5

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки