IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.