IRF4905LPBF, Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF4905LPBF
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать...
Infineon
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов3
configurationSingle
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов3
configurationSingle
factory pack quantity1000
Высота 10.54 мм
id - continuous drain current74 A
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток55 В
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности3,8 Вт
максимальное сопротивление сток-исток20 mΩ
максимальный непрерывный ток стока74 A
manufacturerInfineon
материал транзистораSI
maximum gate threshold voltage4V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage2V
mounting styleThrough Hole
номер каналаПоднятие
number of channels1 Channel
package / caseTO-262-3
packagingTube
part # aliasesSP001563376
pd - power dissipation200 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge120 nC
rds on - drain-source resistance20 mOhms
серияHEXFET
subcategoryMOSFETs
technologySi
типичная входная емкость при vds3400 pF@ 25 V
типичное время задержки включения18 нс
типичное время задержки выключения61 нс
типичный заряд затвора при vgs180 nC @ 10 V
тип каналаP
тип корпусаI2PAK (TO-262)
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
transistor configurationОдинарный
transistor polarityP-Channel
transistor type1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage55 V
vgs - gate-source voltage20 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль