Вес и габариты | |
другие названия товара № | SP001576692 |
id - непрерывный ток утечки | 159 A |
канальный режим | Enhancement |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество каналов | 1 Channel |
коммерческое обозначение | StrongIRFET |
конфигурация | Single |
крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 87 S |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
минимальная рабочая температура | 55 C |
pd - рассеивание мощности | 83 W |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | N-Channel |
qg - заряд затвора | 161 nC |
размер фабричной упаковки | 4800 |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 mOhms |
технология | Si |
типичное время задержки при включении | 16 ns |
типичное время задержки выключения | 54 ns |
тип продукта | MOSFET |
тип транзистора | 1 N-Channel |
торговая марка | Infineon Technologies |
упаковка | Reel, Cut Tape |
упаковка / блок | DirectFET-MF |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
вид монтажа | SMD/SMT |
время нарастания | 66 ns |
время спада | 54 ns |