IRF40DM229, IRF40DM229 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 159A 6-Pin WDSON T/R -
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF40DM229
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор
| Вес и габариты | |
| другие названия товара № | SP001576692 |
| id - непрерывный ток утечки | 159 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 87 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| pd - рассеивание мощности | 83 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| qg - заряд затвора | 161 nC |
| размер фабричной упаковки | 4800 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 mOhms |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 16 ns |
| типичное время задержки выключения | 54 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| упаковка | Reel, Cut Tape |
| упаковка / блок | DirectFET-MF |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 66 ns |
| время спада | 54 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26