IRF3710PBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF3710PBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
| Основные | |
| Производитель | Infineon |
| Корпус | |
| число контактов | 3 |
| диапазон рабочих температур | -55…+175 С |
| длина | 10.54мм |
| другие названия товара № | SP001551058 |
| Высота | 8.77 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 57 A |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики s,а/в | 32 |
| максимальная рабочая температура | +175 °C |
| максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт | 200 |
| максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| максимальное напряжение сток-исток uси,в | 100 |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 4 |
| максимальное рассеяние мощности | 200 W |
| максимальное сопротивление сток-исток | 23 мОм |
| максимальный непрерывный ток стока | 57 А |
| максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а | 57 |
| материал транзистора | SI |
| maximum gate threshold voltage | 4V |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| мощность | рассеиваемая(Pd)-200 Вт |
| msl(уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4В |
| номер канала | Поднятие |
| описание | 100V, 57A |
| особенности | Электропривод |
| pd - рассеивание мощности | 200 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| qg - заряд затвора | 86.7 nC |
| размеры | 10.54 x 4.69 x 8.77мм |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms |
| серия | HEXFET |
| сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-23 мОм |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 23 |
| способ монтажа | Through Hole |
| Структура | n-канал |
| технология | Si |
| температура, с | -55...+175 |
| типичная входная емкость при vds | 3130 pF@ 25 V |
| типичное время задержки включения | 12 нс |
| типичное время задержки выключения | 45 ns |
| типичный заряд затвора при vgs | 130 nC @ 10 V |
| тип канала | N |
| тип корпуса | TO-220AB |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| transistor configuration | Одинарный |
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 4.69 мм |
| заряд | затвора(Qg)-86.7 нКл |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26