- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Производитель:
Infineon
Категория продукта:
МОП-транзистор
Технология:
Si
Вид монтажа:
Through Hole
Упаковка / блок:
TO-220-3
Полярность транзистора:
N-Channel
Количество каналов:
1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
40 V
Id - непрерывный ток утечки:
180 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
2.7 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
2 V
Qg - заряд затвора:
100 nC
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
Максимальная рабочая температура:
+ 175 C
Pd - рассеивание мощности:
200 W
Канальный режим:
Enhancement
Упаковка:
Tube
Торговая марка:
Infineon / IR
Конфигурация:
Single
Время спада:
58 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
170 S
Высота:
15.65 mm
Длина:
10 mm
Тип продукта:
MOSFET
Время нарастания:
110 ns
Размер фабричной упаковки:
100
Подкатегория:
MOSFETs
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:
36 ns
Типичное время задержки при включении:
18 ns
Infineon
Категория продукта:
МОП-транзистор
Технология:
Si
Вид монтажа:
Through Hole
Упаковка / блок:
TO-220-3
Полярность транзистора:
N-Channel
Количество каналов:
1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
40 V
Id - непрерывный ток утечки:
180 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
2.7 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
2 V
Qg - заряд затвора:
100 nC
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
Максимальная рабочая температура:
+ 175 C
Pd - рассеивание мощности:
200 W
Канальный режим:
Enhancement
Упаковка:
Tube
Торговая марка:
Infineon / IR
Конфигурация:
Single
Время спада:
58 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
170 S
Высота:
15.65 mm
Длина:
10 mm
Тип продукта:
MOSFET
Время нарастания:
110 ns
Размер фабричной упаковки:
100
Подкатегория:
MOSFETs
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:
36 ns
Типичное время задержки при включении:
18 ns
Отзывов нет